VNB35N07TR-E Strömbrytarkretsar – Strömfördelning OMNIFETII HELAUTOMATISK SKYDDAD Pwr MOSFET
♠ Produktbeskrivning
Produktattribut | Attributvärde |
Tillverkare: | STMicroelectronics |
Produktkategori: | Strömbrytarkretsar - Strömfördelning |
Typ: | Låg sida |
Antal utgångar: | 1 utgång |
Strömgräns: | 35 A |
Vid motstånd - Max: | 28 mOhm |
I tid - Max: | 200 ns |
Avstängningstid - Max: | 1 oss |
Driftsspänning: | 28 V |
Lägsta driftstemperatur: | - 40 grader Celsius |
Maximal driftstemperatur: | + 150°C |
Monteringsstil: | SMD/SMT |
Paket / Fodral: | D2PAK-3 |
Serie: | VNB35N07-E |
Kompetens: | AEC-Q100 |
Förpackning: | Rulle |
Förpackning: | Skär tejp |
Förpackning: | Musrulle |
Stämpla: | STMicroelectronics |
Fuktkänslig: | Ja |
Pd - Effektförlust: | 125000 mW |
Produkttyp: | Strömbrytarkretsar - Strömfördelning |
Fabriksförpackningskvantitet: | 1000 |
Underkategori: | Switch-IC:er |
Enhetsvikt: | 0,079014 oz |
♠ OMNIFET: helt autoskyddad Power MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E och VNV35N07-E är monolitiska komponenter tillverkade med STMicroelectronics VIPower®-teknik, avsedda för att ersätta vanliga Power MOSFET-transistorer i DC till 50 KHz-applikationer.
Inbyggd termisk avstängning, linjär strömbegränsning och överspänningsklämma skyddar chipet i tuffa miljöer.
Felåterkoppling kan detekteras genom att övervaka spänningen vid ingångsstiftet.
• Kvalificerad för fordonsindustrin
• Linjär strömbegränsning
• Termisk avstängning
• Kortslutningsskydd
• Integrerad klämma
• Låg ström från ingångsstiftet
• Diagnostisk feedback via ingångsstift
• ESD-skydd
• Direkt åtkomst till gate-kretsen på Power MOSFET (analog drivning)
• Kompatibel med standard Power MOSFET
• Standard TO-220-kapsling
• Uppfyller EU-direktivet 2002/95/EG