VNS1NV04DPTR-E Grinddrivare OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produktbeskrivning
| Produktattribut | Attributvärde |
| Tillverkare: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Grinddörrar |
| Produkt: | MOSFET-grinddrivare |
| Typ: | Låg sida |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Paket / Fodral: | SOIC-8 |
| Antal förare: | 2 Förare |
| Antal utgångar: | 2 Utgång |
| Utgångsström: | 1,7 A |
| Matningsspänning - Max: | 24 V |
| Uppgångstid: | 500 ns |
| Hösttid: | 600 ns |
| Lägsta driftstemperatur: | - 40 grader Celsius |
| Maximal driftstemperatur: | + 150°C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E |
| Kompetens: | AEC-Q100 |
| Förpackning: | Rulle |
| Förpackning: | Skär tejp |
| Förpackning: | Musrulle |
| Stämpla: | STMicroelectronics |
| Fuktkänslig: | Ja |
| Driftström: | 150 uA |
| Produkttyp: | Grinddörrar |
| Fabriksförpackningskvantitet: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Strömhanteringskretsar |
| Teknologi: | Si |
| Enhetsvikt: | 0,005291 uns |
♠ OMNIFET II helt självskyddad Power MOSFET
VNS1NV04DP-E är en enhet som består av två monolitiska OMNIFET II-chip inkapslade i ett standard SO-8-kapsling. OMNIFET II är konstruerade med STMicroelectronics VIPower™ M0-3-teknik: de är avsedda att ersätta vanliga Power MOSFET-transistorer från DC upp till 50 kHz-applikationer. Inbyggd termisk avstängning, linjär strömbegränsning och överspänningsklämma skyddar chipet i tuffa miljöer.
Felåterkoppling kan detekteras genom att övervaka spänningen vid ingångsstiftet.
• Linjär strömbegränsning
• Termisk avstängning
• Kortslutningsskydd
• Integrerad klämma
• Låg ström från ingångsstiftet
• Diagnostisk feedback via ingångsstift
• ESD-skydd
• Direkt åtkomst till gate-kretsen på kraft-MOSFET:en (analog drivning)
• Kompatibel med standard kraft-MOSFET
• I enlighet med EU-direktivet 2002/95/EG
