VNS1NV04DPTR-E Gate-drivrutiner OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Produktbeskrivning
| Produktattribut | Attributvärde |
| Tillverkare: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Gate drivrutiner |
| Produkt: | MOSFET Gate-drivrutiner |
| Typ: | Lågsida |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Paket/fodral: | SOIC-8 |
| Antal förare: | 2 förare |
| Antal utgångar: | 2 Utgång |
| Utström: | 1,7 A |
| Matningsspänning - Max: | 24 V |
| Stigtid: | 500 ns |
| Höst tid: | 600 ns |
| Lägsta driftstemperatur: | -40 C |
| Maximal drifttemperatur: | + 150 C |
| Serier: | VNS1NV04DP-E |
| Kompetens: | AEC-Q100 |
| Förpackning: | Rulle |
| Förpackning: | Klipptejp |
| Förpackning: | MouseReel |
| Varumärke: | STMicroelectronics |
| Fuktkänslig: | Ja |
| Drifttillförselström: | 150 uA |
| Produkttyp: | Gate drivrutiner |
| Fabriksförpackningsmängd: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Power Management ICs |
| Teknologi: | Si |
| Enhetsvikt: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II helt autoskyddad Power MOSFET
VNS1NV04DP-E är en enhet bildad av två monolitiska OMNIFET II-chips inrymda i ett standard SO-8-paket.OMNIFET II är designad i STMicroelectronics VIPower™ M0-3-teknologi: de är avsedda att ersätta standard Power MOSFETs från DC upp till 50KHz-applikationer.Inbyggd termisk avstängning, linjär strömbegränsning och överspänningsklämma skyddar chippet i tuffa miljöer.
Felåterkoppling kan detekteras genom att övervaka spänningen vid ingångsstiftet.
• Linjär strömbegränsning
• Termisk avstängning
• Kortslutningsskydd
• Integrerad klämma
• Låg ström från ingångsstiftet
• Diagnostisk återkoppling via ingångsstift
• ESD-skydd
• Direkt åtkomst till porten på power-mosfet (analog körning)
• Kompatibel med standard power mosfet
• I enlighet med det europeiska direktivet 2002/95/EG
