DMP4015SK3Q-13 MOSFET P-Ch Enh Mode FET
♠ Produktbeskrivning
| Produktattribut | Attributvärde |
| Tillverkare: | Inbyggda dioder |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Paket/fodral: | TO-252-3 |
| Transistorpolaritet: | P-kanal |
| Antal kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Id - Kontinuerlig dräneringsström: | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,5 V |
| Qg - Gate Charge: | 47,5 nC |
| Lägsta driftstemperatur: | -55 C |
| Maximal drifttemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effektförlust: | 3,5 W |
| Kanalläge: | Förbättring |
| Kompetens: | AEC-Q101 |
| Förpackning: | Rulle |
| Förpackning: | Klipptejp |
| Förpackning: | MouseReel |
| Varumärke: | Inbyggda dioder |
| Konfiguration: | Enda |
| Höst tid: | 137,9 nS |
| Framåtriktad transkonduktans - Min: | 26 S |
| Höjd: | 2,39 mm |
| Längd: | 6,7 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Stigtid: | 10 ns |
| Serier: | DMP4015 |
| Fabriksförpackningsmängd: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET |
| Transistortyp: | 1 P-kanal |
| Typisk avstängningsfördröjning: | 302,7 ns |
| Typisk fördröjningstid för start: | 13,2 ns |
| Bredd: | 6,2 mm |
| Enhetsvikt: | 0,011640 oz |
♠ MOSFET DMP4015SK3Q P-KANAL FÖRBÄTTRINGSLÄGE
• Fodral: TO252 (DPAK)
• Boettmaterial: Formgjuten plast, "grön" formmassa.UL brandfarlighetsklassificering 94V-0
• Fuktkänslighet: Nivå 1 per J-STD-020
• Plintanslutningar: Se diagram
• Uttag: Finish—Matt tennfinish glödgad över kopparleadframe.Lödbar enligt MIL-STD-202, metod 208
• Vikt: 0,33 gram (ungefärlig)
• 100 % oklämd induktiv brytare (UIS) test i produktion
• Lågt på-motstånd
• Snabb växlingshastighet
• Blyfri finish;RoHS-kompatibel (anmärkning 1 och 2)
• Halogen- och antimonfri."Grön" enhet (not 3)
• DMP4015SK3Q är lämplig för fordonstillämpningar som kräver specifik ändringskontroll;denna del är AEC-Q101-kvalificerad, PPAP-kompatibel och tillverkad i IATF 16949-certifierade anläggningar.
Denna MOSFET är designad för att uppfylla de stränga kraven för fordonstillämpningar.Den är kvalificerad för AEC-Q101, stöds av en PPAP, och är idealisk för användning i:
• DC-DC-omvandlare
• Energisparfunktioner
• Bakgrundsbelysning
