Produktdetalj
Produkttaggar
| Produktattribut | Attributvärde |
| Tillverkare: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Paket/fodral: | DPAK-3 |
| Transistorpolaritet: | N-kanal |
| Antal kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Id - Kontinuerlig dräneringsström: | 1,7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1,9 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Qg - Gate Charge: | 8,3 nC |
| Lägsta driftstemperatur: | -55 C |
| Maximal drifttemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effektförlust: | 114 W |
| Kanalläge: | Förbättring |
| Handelsnamn: | UniFET |
| Förpackning: | Rulle |
| Förpackning: | Klipptejp |
| Förpackning: | MouseReel |
| Varumärke: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguration: | Enda |
| Höst tid: | 12,8 ns |
| Framåtriktad transkonduktans - Min: | 3.4 S |
| Höjd: | 2,39 mm |
| Längd: | 6,73 mm |
| Produkt: | MOSFET |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Stigtid: | 15,1 ns |
| Serier: | FDD4N60NZ |
| Fabriksförpackningsmängd: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET |
| Transistortyp: | 1 N-kanal |
| Typisk avstängningsfördröjning: | 30,2 ns |
| Typisk fördröjningstid för start: | 12,7 ns |
| Bredd: | 6,22 mm |
| Enhetsvikt: | 0,011640 oz |
Tidigare: NCP431BVSNT1G Spänningsreferenser ANA 2,5V PROG SHUNT REF Nästa: NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2,0A
