NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Produktbeskrivning
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Tillverkning: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| Polaridad av transistor: | N-kanal |
| Kanalnummer: | 2 kanal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 295 mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1,6 Ohm |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 st |
| Temperatur de trabajo minima: | -55 C |
| Temperatura de trabajo maxima: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 250 mW |
| Modo-kanalen: | Förbättring |
| Empaquetado: | Rulle |
| Empaquetado: | Klipptejp |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Märke: | onsemi |
| Konfiguration: | Dubbel |
| Tidpunkt: | 32 ns |
| Altura: | 0,9 mm |
| Longitud: | 2 mm |
| Typ av produkt: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 34 ns |
| Serie: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Underkategori: | MOSFET |
| Typ av transistor: | 2 N-kanal |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
| Tiempo típico de demonstration de enendido: | 22 ns |
| Ancho: | 1,25 mm |
| Peso de la unidad: | 0,000212 oz |
• Låg RDS (på)
• Låg grindtröskel
• Låg ingångskapacitans
• ESD-skyddad grind
• NVJD-prefix för fordon och andra applikationer som kräver unika krav på plats och kontrolländringar;AEC−Q101-kvalificerad och PPAP-kapabel
• Detta är en Pb−fri enhet
•Omkopplare för låg sidobelastning
• DC−DC-omvandlare (Buck and Boost-kretsar)
