VNLD5090TR-E Gate Drivers OMNIFET III skyddar fullständigt lo-side drvr
♠ Produktbeskrivning
| Produktattribut | Attributvärde |
| Tillverkare: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Gate drivrutiner |
| RoHS: | Detaljer |
| Produkt: | Drivrutiner ICs - olika |
| Typ: | Lågsida |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Paket/fodral: | SOIC-8 |
| Antal förare: | 1 förare |
| Antal utgångar: | 2 Utgång |
| Utström: | 18 A |
| Matningsspänning - Min: | 4,5 V |
| Matningsspänning - Max: | 5,5 V |
| Stigtid: | 10 oss |
| Höst tid: | 2,7 oss |
| Lägsta driftstemperatur: | -40 C |
| Maximal drifttemperatur: | + 150 C |
| Serier: | VNLD5090-E |
| Kompetens: | AEC-Q100 |
| Förpackning: | Rulle |
| Förpackning: | Klipptejp |
| Förpackning: | MouseReel |
| Varumärke: | STMicroelectronics |
| Maximal avstängningsfördröjning: | 3,4 oss |
| Maximal startfördröjning: | 8 oss |
| Fuktkänslig: | Ja |
| Drifttillförselström: | 30 uA |
| Produkttyp: | Gate drivrutiner |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhm |
| Stänga av: | Stänga av |
| Fabriksförpackningsmängd: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Power Management ICs |
| Teknologi: | Si |
| Enhetsvikt: | 150 mg |
♠ OMNIFET III helt skyddad lågsida förare för fordonstillämpningar
VNLD5090-E är en monolitisk enhet gjord med STMicroelectronics® VIPower®-teknologi, avsedd för att driva resistiva eller induktiva belastningar med en sida ansluten till batteriet.Inbyggd termisk avstängning skyddar chippet från övertemperatur och kortslutning.Begränsning av utströmmen skyddar enheten i ett överbelastningstillstånd.Vid långvarig överbelastning begränsar enheten den förbrukade effekten till en säker nivå upp till termisk avstängning. Termisk avstängning, med automatisk omstart, gör att enheten kan återställa normal drift så snart ett feltillstånd försvinner.Snabb avmagnetisering av induktiva belastningar uppnås vid avstängning.
·AEC-Q100 kvalificerad
·Dräneringsström: 13 A
·ESD-skydd
·Överspänningsklämma
·Termisk avstängning
·Ström- och effektbegränsning
·Mycket låg standbyström
·Mycket låg elektromagnetisk känslighet
·I enlighet med EU-direktivet 2002/95/EG
